01變頻器組成原理1.1變頻器的基本結構調速用變頻器構成：主電路、控制電路、保護電路變頻器主電路工作原理變壓變頻裝置結構框圖按照不同的控制方式，交—直—交變頻器可分成以下三種方式：采用可控整流器調壓、逆變器調頻的控制方式，其結構框圖?？煽卣髌髡{壓、逆變器調頻的控制方式的特點：在這種裝置中，調壓和調頻在兩個環節上分別進行，在控制電路上協調配合，結構簡單，控制方便。但是，由于輸入環節采用晶閘管可控整流器，當電壓調得較低時，電網端功率因數較低。而輸出環節多用由晶閘管組成多拍逆變器，每周換相六次，輸出的諧波較大，因此這類控制方式現在用的較少。采用不控整流器整流、斬波器調壓、再用逆變器調頻的控制方式，其結構框圖。不控整流器整流、斬波器調壓、再用逆變器調頻的控制方式的特點：整流環節采用二極管不控整流器，只整流不調壓，再單獨設置斬波器，用脈寬調壓，這種方法克服功率因數較低的缺點；但輸出逆變環節未變，仍有諧波較大的缺點；采用不控制整流器整流、脈寬調制（PWM）逆變器同時調壓調頻的控制方式，其結構框圖。不控制整流器整流、脈寬調制（PWM）逆變器同時調壓調頻的控制方式的特點：在這類裝置中，用不控整流，則輸入功率因數不變；用（PWM）逆變，則輸出諧波可以減小。PWM逆變器需要全控型電力半導體器件，其輸出諧波減少的程度取決于PWM的開關頻率，而開關頻率則受器件開關時間的限制。采用絕緣雙極型晶體管IGBT時，開關頻率可達10kHz以上，輸出波形已經非常逼近正弦波，因而又稱為SPWM逆變器，成為當前Zui有發展前途的一種裝置形式。電壓型變頻器結構框圖：電壓型變頻器：在交—直—交變頻器中，當中間直流環節采用大電容濾波時，直流電壓波形比較平直，在理想情況下是一個內阻抗為零的恒壓源，輸出交流電壓是矩形波或階梯波，這類變頻器叫做電壓型變頻器。電流型變頻器結構框圖：電流型變頻器：當交—直—交變頻器的中間直流環節采用大電感濾波時，直流電流波形比較平直，因而電源內阻抗很大，對負載來說基本上是一個電流源，輸出交流電流是矩形波或階梯波，這類變頻器叫做電流型變頻器。02交—直—交變頻器主電路①交—直—交電壓型變頻電路常用的交—直—交電壓型PWM變頻電路。交—直—交電壓型PWM變頻電路采用二極管構成整流器，完成交流到直流的變換，其輸出直流電壓Ud是不可控的；中間直流環節用大電容C濾波；電力晶體管V1～V6構成PWM逆變器，完成直流到交流的變換，并能實現輸出頻率和電壓的同時調節，VD1～VD6是電壓型逆變器所需的反饋二極管。②交—直—交電流型變頻電路常用的交—直—交電流型變頻電路。交—直—交電流型變頻電路：整流器采用晶閘管構成的可控整流電路，完成交流到直流的變換，輸出可控的直流電壓U，實現調壓功能；中間直流環節用大電感L濾波；逆變器采用晶閘管構成的串聯二極管式電流型逆變電路，完成直流到交流的變換，并實現輸出頻率的調節。③交—直—交電壓型變頻器與電流型變頻器的性能比較；03絕緣門極晶體管（IGBT）一．IGBT的結構和基本工作原理絕緣門極晶體管IGBT也稱絕緣柵極雙極型晶體管，是一種新發展起來的復合型電力電子器件。由于它結合了MOSFET和GTR的特點，既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好和驅動電路簡單的優點，又具有輸入通態電壓低，耐壓高和承受電流大的優點，這些都使IGBT比GTR有更大的吸引力。在變頻器驅動電機，中頻和開關電源以及要求快速、低損耗的領域，IGBT有著主導地位。1.  IGBT的基本結構與工作原理1）基本結構IGBT也是三端器件，三個極為漏極（D）、柵極（G）和源極（S）。（a) 內部結構 （b）簡化等效電路（c）電氣圖形符號2）工作原理IGBT的驅動原理與電力MOSFET基本相同，它是一種壓控型器件。開通和關斷是由柵極和發射極間的電壓UGE決定的，當UGE為正且大于開啟電壓UGE（th）時，MOSFET內形成溝道，并為晶體管提供基極電流使其導通。當柵極與發射極之間加反向電壓或不加電壓時，MOSFET內的溝道消失，晶體管無基極電流，IGBT關斷。2.IGBT的基本特性與主要參數IGBT的轉移特性和輸出特性（a)  轉移特性  （b)  輸出特性1）IGBT的基本特性① 靜態特性IGBT的轉移特性，它描述的是集電極電流IC與柵射電壓UGE之間的關系，與功率MOSFET的轉移特性相似。開啟電壓UGE（th）是IGBT能實現電導調制而導通的Zui低柵射電壓。UGE（th）隨溫度升高而略有下降，溫度升高1oC，其值下降5mV左右。在+25oC時，UGE（th）的值一般為2~6V。IGBT的輸出特性，也稱伏安特性，它描述的是以柵射電壓為參考變量時，集電極電流IC與集射極間電壓UCE之間的關系。IGBT的開關過程2）主要參數①集電極—發射極額定電壓UCES②柵極—發射極額定電壓UGES③額定集電極電流IC 3.IGBT的擎住效應和安全工作區從IGBT的結構可以發現，IGBT電流可能發生失控的現象，就像普通晶閘管被觸發以后，即使撤消觸發信號晶閘管仍然因進入正反饋過程而維持導通的機理一樣，因此被稱為擎住效應或自鎖效應。引發擎住效應的原因，可能是集電極電流過大（靜態擎住效應），也可能是Zui大允許電壓上升率duCE/dt過大（動態擎住效應），溫度升高也會加重發生擎住效應的危險。動態擎住效應比靜態擎住效應所允許的集電極電流小，因此所允許的Zui大集電極電流實際上是根據動態擎住效應而確定的。根據Zui大集電極電流、Zui大集電極間電壓和Zui大集電極功耗可以確定IGBT在導通工作狀態的參數極限范圍；根據Zui大集電極電流、Zui大集射極間電壓和Zui大允許電壓上升率可以確定IGBT在阻斷工作狀態下的參數極限范圍，即反向偏置安全工作電壓（RBSOA）04IGBT的驅動電路（1)對驅動電路的要求①IGBT是電壓驅動的，具有一個2.5~5.0V的閥值電壓，有一個容性輸入阻抗，因此IGBT對柵極電荷非常敏感，故驅動電路必須很可靠，保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅動電路與IGBT的連線要盡量短。②用內阻小的驅動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓UCE有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關損耗盡量小。另外，IGBT開通后，柵極驅動源應能提供足夠的功率，使IGBT不退出飽和而損壞。③驅動電路中的正偏壓應為+12~+15V，負偏壓應為-2~-10V。